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山西朔州海缆高压导线快速响应电容器的技术要求如下：为了节省面积，高压电容器可以分层于铁架上，但垂直放置层数应不多于三层，层与层之间不得装设水平层间隔板，以保证散热良好。上、中、下三层电容器的位置要一致，向外。高压电容器的铁架成一排或两排布置，排与排之间应留有巡视检查的走道，走道宽度应不小于1.5m.3）高压电容器组的铁架必须设置铁丝网遮拦，遮拦的网孔3～4cm2为宜。高压电容器外壳之间的距离，一般不应小于10cm；低压电容器外壳之间的距离应不小于50mm。化、僵硬式的机器模式一般的教育培训，形式简单粗暴，往往把把一些必须的环节省去了，把一些必要的关心关爱忽略了，这种“速成文化”真的害人害己。试想，一次《安规》、一份PPT、一遍就能完成安全教育培训，一次标准培训、一个模子就能塑造一名合格的电工的话，那还要培训机构什么，还要“师徒协议”什么？其效果也是有限的。要知道，花与花似乎相似，人与人怎么可能相同。人人都是，都不可能复制。处于过渡期的新员工安全教育培训工作不持续、不认真是事故事件频发的关键原因。两相PM型爪极步进电机的结构如下图所示，定子相绕组不像前面介绍的电机一样分布在圆周上，而是轴向放置，这种相绕组方式称为从属型结构。转子为圆柱形 磁铁，其中心了输出轴。圆柱形 磁铁的圆周外表面交替分布着N极和S极，极对数为Nr，N、S极等极距。其转子磁极通过气隙，对着定子磁极。定子磁极依其形状称为爪极（clole)，由导磁钢板冲压成型，形成Nr个爪极。两个定子极板其磁极交互安放，相差1/2极距，共2Nr个与转子磁极数2Nr相对应，形成一相定子。主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。

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